尔必达内存（Elpida Memory）宣布，开发了每片300mm晶圆比以往65nm工艺制品芯片裁切量提高20％的缩小版DDR2同步DRAM（SDRAM）。存储量为1Gbit。与70nm工艺制品比，芯片裁切数量提高了约60％。预定2008年内在该公司的广岛工厂、台湾力晶半导体（PSC）以及与PSC的合资公司瑞晶电子开始量产。

　　通过在第一代65nm工艺产品中导入新的架构，缩小了芯片尺寸。因生产直接沿用已实现高成品率和生产效率的65nm工艺，与第一代65nm产品相比，可削减成本约20％。此外，如果考虑到改为50nm工艺时设备投资等导致的成本增加，预计每枚芯片的成本将与目前发布的50nm工艺产品不相上下。

　　另外，该公司50nm工艺的开发已达到最终阶段，预计2008年11月内完成。预定2009年1～3月开始量产。最顺利的话，也可能在2008年12月底开始量产。该50nm工艺产品的芯片面积为40mm2以下，与此次开发的65nm工艺的缩小版相比，预计生产效率将进一步提高约50％。

　　由于此次65nm工艺缩小版的开发成功，不论DRAM的低迷长期持续或者提前复苏，尔必达均可以灵活进行设备投资及生产线的建设。